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《半导体光电》 1991年04期
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Ge_xSi_1-x/Si异质结构的近红外吸收光谱测量

江若琏   江宁   陈庆华   开通知网号
【摘要】：测量分析了采用 RRH/VLP—CVD 方法外延生长的 Ge_xSi_(1-x)/Si 异质结构中 Ge_xSi_(1-x)合金薄层的近红外吸收光谱。由谱线计算出 Ge_(0.15)Si_(0.85)与 Ge_(0.45)Si(0.55)合金层的带隙...
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