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《半导体技术》 2014年12期
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SiC功率器件离子注入和退火设备及工艺验证

李茂林   杨秉君   清水三郎   横尾秀和   塚越和也   小室健司   开通知网号
【摘要】： 针对SiC功率器件工艺制程中离子注入和激活退火的技术难题,利用爱发科公司自行设计并开发的高温离子注入设备(ULVAC,IH-860DSIC)、碳膜溅射设备(ULVAC,SME-200)和高温激活退火设备(ULVAC,PFS-6000-25)。通过计算...

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