收藏本站
问答
《半导体技术》 2015年12期
作者本人免费下载 | 收藏 | 投稿 | 论文排版

砷化镓六位串并行驱动器芯片的研制

赵子润   陈凤霞   开通知网号
【摘要】： 基于0.25μm砷化镓(GaAs)增强、耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(E/D PHEMT)工艺,设计并实现了一种串并行驱动器芯片,该芯片应用直接耦合场效应晶体管逻辑结构(DCFL),实现了移位寄存器、锁存器、输出缓冲等数字逻辑电路单片集成。芯片可输入...

 快捷付款方式  订购知网充值卡  订购热线  帮助中心
  • 400-819-9993
  • 010-62982499
  • 010-62783978
订卡电话 400-819-9993
在线咨询 https://help.cnki.net
京ICP证040441号
京公网安备11010802020475号
违法和不良信息举报电话：400-062-8866
举报邮箱：jubao@cnki.net
©2022中国知网（CNKI）


加载耗时:34ms