收藏本站
问答
《半导体技术》 2018年12期
作者本人免费下载 | 收藏 | 投稿 | 论文排版

200 mm硅外延片厚度和电阻率均匀性工艺调控

李明达   开通知网号
【摘要】： 研究了影响垂直双扩散场效应晶体管(VDMOS)器件用200 mm硅外延片厚度和电阻率等参数均匀性的关键因素。采用Centura型常压单片式外延炉,系统研究了生长温度、温度梯度、载气流量以及自掺杂抑制措施对200 mm外延层表面质量、厚度、电阻率均匀性...

 快捷付款方式  订购知网充值卡  订购热线  帮助中心
  • 400-819-9993
  • 010-62982499
  • 010-62783978
订卡电话 400-819-9993
在线咨询 https://help.cnki.net
京ICP证040441号
京公网安备11010802020475号
违法和不良信息举报电话：400-062-8866
举报邮箱：jubao@cnki.net
©2022中国知网（CNKI）


加载耗时:71ms