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《半导体技术》 2018年12期
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一种新型单粒子翻转加固SRAM单元

刘鸿瑾   李天文   稂时楠   张建锋   刘群   袁大威   开通知网号
【摘要】：随着器件特征尺寸缩小,发生在敏感节点之间的电荷共享使加固静态随机存储器(SRAM)单元容易发生单粒子翻转(SEU)。通过对ROCK,WHIT,Quatrol及JUNG等SRAM单元的SEU加固机理分析,提出一种新型SEU加固SRAM单元,并从面积、延...
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