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《电工技术学报》 2015年17期
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4500V碳化硅SBD和JFET功率模块的制备与测试

何骏伟   陈思哲   任娜   柏松   陶永洪   刘奥   盛况   开通知网号
【摘要】： 基于自主研制的碳化硅肖特基势垒二极管(SBD)和碳化硅结型场效应晶体管(JFET)芯片,成功制备了4 500 V/150 A的碳化硅SBD功率模块和4 500 V/50 A的碳化硅JFET功率模块,并设计了JFET功率模块的驱动电路进行相应的静态和动...

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