具有埋界面漏的Trench功率MOSFET研究

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【摘要】： 研究了两种具有埋界面漏的槽型技术(Trench)功率金属氧化层半导体场效晶体管(MOSFET)。利用埋于整个界面的漏n~+层缩短开态时载流子在高电阻率n~-漂移区的运动路径,从而降低器件比导通电阻,缓解功率MOSFET器件比导通电阻与击穿电压之间的矛...

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