收藏本站
问答
《发光学报》 1986年04期
作者本人免费下载 | 收藏 | 投稿 | 论文排版

高掺杂InGaAsP材料的荧光光谱和Moss-Burstein移动

李玉璋,郑宝真,彭怀德,唐骏,庄蔚华   开通知网号
【摘要】： 本文研究了77K下,n型InGaAsP材料的阴极荧光。利用导带到类受主能级跃迁的模型,考虑到高掺杂样品带尾效应的影响,计算了高掺杂样品阴极荧光光谱随掺杂浓度变化的Moss-Burstein移动。理论计算结果与实验值较好地符合。

 快捷付款方式  订购知网充值卡  订购热线  帮助中心
  • 400-819-9993
  • 010-62982499
  • 010-62783978
订卡电话 400-819-9993
在线咨询 https://help.cnki.net
京ICP证040441号
京公网安备11010802020475号
违法和不良信息举报电话：400-062-8866
举报邮箱：jubao@cnki.net
©2022中国知网（CNKI）


加载耗时:45ms