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《发光学报》 1993年04期
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ZnSe-ZnS超晶格的通光蚀孔及列阵研究

张吉英,孙甲明,范希武,姜锦秀,陈连春   开通知网号
【摘要】： 用MOCVD方法在GaAs衬底上生长ZnSe-ZnS超晶格.用化学腐蚀方法在GaAs衬底上开一个通光窗口,使该窗口上仅剩有1～1.8μm厚的生长层.室温下测量了蚀孔后由于化学腐蚀造成生长层表面差异的ZnSe-ZnS超晶格的吸收光谱.研究了带有生长过渡...

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