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《光电子·激光》 2004年10期
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10%占空比大功率半导体激光器线阵列

康志龙,辛国锋,陈国鹰,花吉珍,安振峰,郭艳菊,高丽艳   开通知网号
【摘要】： 利用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了分别限制应变单量子阱激光器材料。利用该材料制成半导体激光(LD)线阵列的峰值波长为939.5nm,光谱的半高全宽(FWHM)为2.3nm,在400μs、250Hz的输入电流下,输出峰值功率达到65W(...

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