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《功能材料》 2000年04期
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HgCdTe晶体ACRT-B法生长过程的分凝特性研究

介万奇   开通知网号
【摘要】： 在定量估算的基础上，明确了 Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ晶体ＡＣ－ＲＴ一Ｂ法生长过程轴向溶质再分配的简化条件，导出了计算公式。以 ＨｇＴｅ－ＣｄＴｅ伪二元相图为基础进行的计算表明，按照远红外探测器要求的成分配料（Ｘ０＝０．２２），仅在晶锭的某一部分可获得符合...

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