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《核聚变与等离子体物理》 1988年01期
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射频溅射沉积硅薄膜实验

唐素筠   常淑芬   朱毓坤   开通知网号
【摘要】： 本文描述采用射频溅射法在GH39不锈钢基体上沉积硅薄膜的实验。对直接溅射沉积硅薄膜的工艺进行了实验研究,并对硅膜进行了SIMS分析。用称重法测出无定形硅膜的最大厚度可达400—500nm,为HL-1装置等离子体边界层物理实验制作了所需的无定形硅膜收集...

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