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《红外技术》 1984年06期
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由测量转移损失确定表面沟道电荷耦合器件(SCCD)的转移噪声

K.DAWKUNG CHIK   王家库   开通知网号
【摘要】： 本文描述了由测量转移损失来确定表面沟道电荷耦合器件(SCCD)中表面态引起转移噪声的简单方法。我们测量了二相交迭多晶硅电极长沟道SCCD器件中的转移噪声,测量温度为77～325K,频率为1KHz～1MHz。实验数据和理论计算值的一致性,证实了这个方法...

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