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《量子电子学》 1992年01期
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AlGaAs/GaAs多量子阱光激发载流子弛豫过程的研究

彭文基,林位株,丘志仁,余振新   开通知网号
【摘要】： <正> 当激发光子能量大于多量子阱中势垒层的能带隙时,自由载流子同时可以在势垒层以及势阱层产生,对这些载流子的弛豫过程的研究不论对其基本的物理过程的认识,还是对新的光电子器件的研制和应用都有着重要的意义。 本文首先采用飞秒(10~(-15)秒)饱和吸...

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