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《微电子学》 2019年01期
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一种带埋层的超低比导通电阻槽型LDMOS

李欢   陈星弼   开通知网号
【摘要】： 提出了一种带n型浮空埋层的超低比导通电阻的变k槽型LDMOS(TLDMOS)。新结构在漂移区内引入变介电常数(VK)的深槽结构和自驱动的U型p区,不仅可提高漂移区的掺杂浓度,还可优化体内电场分布。衬底中引入的n埋层在器件阻断时进一步调制漂移区的电场分...

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