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《Chinese Physics Letters》 2016年08期
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Radiation Resistance of Fluorine-Implanted PNP Using Gated-Controlled Lateral PNP Transistor Structure

王信   陆妩   马武英   郭旗   王志宽   何承发   刘默寒   李小龙   贾金成   开通知网号
【摘要】: The radiation damage responses of Buorinated and non-Buorinated lateral PNP transistors are studied with specially designed g...

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