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《Chinese Physics Letters》 2016年08期
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Fabrication of GaN-Based Heterostructures with an InA1GaN/AlGaN Composite Barrier

全汝岱   张进成   薛军帅   赵一   宁静   林志宇   张雅超   任泽阳   郝跃   开通知网号
【摘要】： GaN-based heterostructures with an InAlGaN/AlGaN composite barrier on sapphire(0001)substrates are grown by a low-pressure me...

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