Influence of patterned TiO_2/SiO_2 dielectric multilayers for back and front mirror facets on GaN-based laser diodes

陈伟华胡晓东代涛李睿叶学敏赵太平杜为民杨志坚张国义开通知网号

【摘要】： Ridge InGaN multi-quantum-well-structure (MQW) edge-emitting laser diodes (LDs) were grown on (0001) sapphire substrates by l...

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