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微纳电子技术

Micronanoelectronic Technology

主办：中国电子科技集团公司第十三研究所

周期：月刊

出版地：河北省石家庄市

语种：中文;

开本：大16开

ISSN 1671-4776

CN 13-1314/TN

邮发代号 18-60

曾用刊名：半导体情报

创刊年：1964

ASPT来源刊

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	微纳电子技术 1983年06期

目录
	杂质对磷化铟单晶生长位错的影响		孙碧云;柏亚青;
	线性集成电路的发展		宁众;
	采用光谱整形的亚微米分辨率光刻		A.M.Voshchenkov;刘宗穆;
	液封Czochralski技术生长的InP单晶中位错产生和传播的X射线形貌观察		Shun-ichi Tohno;孙碧云;
	供制备高频FET和IC用的半绝缘GaAs衬底		Harrey Winston;陈现应;
	采用MES FET结构分析绝缘膜-GaAs界面的光学和电学性质		M.Ozeki;刘道河;
	在印制线路板上直接安装芯片载体的方法		Masanobu Itoh;章征龙;
	短沟道CCD中势垒高度的降低		王晓明;
	采用离子注入的低功耗GaAs单片宽带放大器		本城和彦;袁明文;
	60GHz GaAs FET放大器		E.T.Watkins;曹余录;
	表面和外延衬底界面对GaAs MES FET漏电流漂移的影响		H.Itoh;丁奎章;
	简讯
	《半导体情报》一九八三年一至六期题目索引

微纳电子技术1983年各期：

[01] [02] [03] [04] [05]

微纳电子技术其它年：

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