用p-InGaN/p-GaN超晶格做接触层获得低阻欧姆接触的研究

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【摘要】： 可靠性良好的低阻欧姆接触是制备高温大功率 LED、LD 等的基础．高质量的 p-GaN 欧姆接触是提高器件性能的关键。但 GaN 基材料的低电阻 P 型欧姆接触主要受到以下两个方面的制约：缺乏合适的接触金属材料,p-GaN 材料的功函数很大(7．5 ...

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