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基于主方程单电子器件模拟新方法及单电子电路理论研究
【摘要】：
随着超大规模集成电路的的发展,半导体硅技术非常好地遵循Moore定理发展,电子器件的特征尺寸越来越小;数字集成电路的芯片的集成度越来越高,电子器件由微米级进入纳米级,量子效应对器件工作的影响变的越来越重要,尺寸小于10nm将出...
【学位授予单位】：湖南大学
【学位级别】：硕士
【学位授予年份】：2006
【学位级别】：硕士
【学位授予年份】：2006
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