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《半导体技术》 2014年01期
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C波段高效率30W功率放大器研制

董四华   梁璐   杨光晖   开通知网号
【摘要】： 随着第三代半导体GaN器件技术的不断发展,GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)功率器件在电子系统中逐步得到了广泛应用。GaN功率器件具有工作效率高、功率密度大和击穿场强高的特点,非常适合用于大功率、连续波功率放大器设计。基于GaN功率器件大信号模型,...

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