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《半导体技术》 2014年11期
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基于90nm CMOS工艺的超宽带分布式混频器设计

谢仁贵   王维波   陶洪琪   张斌   开通知网号
【摘要】： 基于TSMC 90 nm CMOS工艺设计了一款18~100 GHz的超宽带无源漏极混频器,混频器采用了均匀分布式结构,通过牺牲延迟来获得超宽带带宽。同时,提出了一种栅极电压优化技术,通过优化偏置电压VGS来最小化CMOS混频器的传输损耗。混频器带宽...

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