半导体技术-2014年11期-知网空间

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半导体技术

Semiconductor Technology

主办：中国电子科技集团公司第十三研究所

周期：月刊

出版地：河北省石家庄市

语种：中文;

开本：大16开

ISSN 1003-353X

CN 13-1109/TN

邮发代号 18-65

创刊年：1976

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	半导体技术 2014年11期

目录
	用于UHF RFID读写器的射频前端CMOS混频电路		林之恒;谈熙;闵昊;
	基于90nm CMOS工艺的超宽带分布式混频器设计		谢仁贵;王维波;陶洪琪;张斌;
	局域耦合效应在GaInP太阳电池中的应用		左致远;夏伟;王钢;徐现刚;
	2015年主要栏目设置
	GaN基HEMT器件的优化设计		冯嘉鹏;赵红东;孙渤;段磊;郭正泽;陈洁萌;姚奕洋;
	3300 V-10 A SiC肖特基二极管		倪炜江;
	基于平面GaAs肖特基二极管的220 GHz倍频器		杨大宝;王俊龙;邢东;梁士雄;张立森;冯志红;
	新型垂直腔面发射激光器的研制		冯源;刘国军;郝永芹;王勇;晏长岭;赵英杰;芦鹏;李洋;
	氮化时间对脉冲激光沉积AlN薄膜性能的影响		刘作莲;王海燕;杨为家;王文樑;李国强;
	CMP抛光液对TiO_2薄膜表面粗糙度的影响		张玉峰;王胜利;刘玉岭;段波;李若津;杜旭涛;
	具有Pt扩散阻挡层的n-GaAs欧姆接触的可靠性		刘丹丹;王勇;叶镇;高占琦;张屿;王晓华;
	激光脉冲退火对40nm超浅结和pMOS器件性能的优化		张冬明;刘巍;张鹏;
	掺杂浓度对重掺硼直拉<111>单晶硅小角晶界的影响		孙新利;黄笑容;徐一俊;郭兵健;何国君;陆燕;祖国;
	不同结构nMOS管的总剂量辐射效应		闫旭亮;孟丽娅;袁祥辉;黄友恕;吕果林;
	测试参数对掺As ZnO微米线光致发光谱的影响		张贺秋;金叶;胡礼中;汪瑞谱;郭铖;李泽宇;
	基于ANSYS有限元分析法的LED结温检测		漆琴;秦会斌;胡永才;
	IC China 2014新品预览
	芯片制造业亮相IC China 2014
	稿约

半导体技术2014年各期：

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