3300 V-10 A SiC肖特基二极管

倪炜江开通知网号

【摘要】： 利用一次离子注入同时形成有源区和结终端结构,实现3 300 V 4H-SiC肖特基二极管。器件的正向电压为1.7 V时,电流达到10.3 A,相应电流密度为100 A/cm2,比导通电阻为7.77 mΩ·cm2。在3 300 V反向偏置电压下反向漏电...

下载App查看全文

CAJViewer阅读器支持CAJ、PDF文件格式，AdobeReader仅支持PDF格式

	快捷付款方式		订购知网充值卡	订购热线	帮助中心
	微信支付支付宝银行卡	知网卡在线购卡更多>>	免费送卡上门银行汇款购卡	400-819-9993 010-62982499 010-62783978	常见问题在线咨询阅读器下载	充值中心知网卡新手指南

	【引证文献】
	【引证文献】

	【参考文献】
	【参考文献】

	【共引文献】
	【共引文献】