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《半导体技术》 2014年11期
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掺杂浓度对重掺硼直拉<111>单晶硅小角晶界的影响

孙新利   黄笑容   徐一俊   郭兵健   何国君   陆燕   祖国   开通知网号
【摘要】： 小角晶界是重掺硼直拉<111>单晶硅生产制造过程中出现的严重缺陷,生产中需要避免。主要研究掺杂浓度对小角晶界的影响,通过实验发现当前工艺下小角晶界产生的临界掺杂浓度为9.05×1019cm-3。分析研究小角晶界的宏观分布及形态特征,其宏观分布与晶体各...

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