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《半导体技术》 2025年05期
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室温晶圆键合的金刚石基GaN HEMT制备与性能

张栋曜   周幸叶   郭红雨   余浩   吕元杰   冯志红   开通知网号
【摘要】：GaN作为第三代宽禁带半导体材料,具有较大的自发极化系数和压电系数,可承受高功率密度,适用于高频、高温、大功率器件。随着GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)向小型化、大功率发展,散热问题已成为制约GaN功率器件性能提升的重要因素。高热导率(2 000...
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