半导体技术-2025年05期-知网空间

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半导体技术

Semiconductor Technology

主办：中国电子科技集团公司第十三研究所

周期：月刊

出版地：河北省石家庄市

语种：中文;

开本：大16开

ISSN 1003-353X

CN 13-1109/TN

邮发代号 18-65

创刊年：1976

ASPT来源刊

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	半导体技术 2025年05期

目录
	超宽禁带半导体Ga_2O_3功率器件、紫外光电器件的新进展(续)		赵正平;
	具有双层空穴传输层的高亮度QLED		方文惠;阮钰菁;廖靖妍;罗东向;郑华;刘佰全;
	基于NiO/GaN核壳纳米柱阵列异质结的高性能自供电紫外光电探测器		唐鑫;柳志成;江弘胜;李国强;
	全溶液法制备PAA/SU-8双层电介质OFET及其性能		江紫玲;朱睿;张婕;
	基于瞬态漏源电流变化的SiC MOSFET陷阱表征		高博文;杜颖晨;张亚民;
	室温晶圆键合的金刚石基GaN HEMT制备与性能		张栋曜;周幸叶;郭红雨;余浩;吕元杰;冯志红;
	TAZ与LS-97对铜CMP协同缓蚀效应		贺斌;高宝红;霍金向;李雯浩宇;贺越;王建树;
	基于衬底台阶调控技术的高质量GaN生长		高楠;房玉龙;王波;张志荣;尹甲运;韩颖;刘超;
	基于查找表均衡的高速SerDes发送端设计		陶保明;张春茗;任一凡;戢小亮;
	175℃反激式高温直流开关电源设计		刘建国;杨依忠;丁瀚;
	IGBT相变冷板的设计和数值模拟		潘子升;周俊屹;余时帆;胡桂林;
	横向结构压接IGBT动态测试平台设计及其寄生电感抑制		袁文迁;季一润;杨敏祥;槐青;袁茜;郝震;刘铁城;
	面向低电压穿越工况的DFIG变流器IGBT结温管理		杨晨;乐应波;杨程;李伟邦;何鑫;崔昊杨;
	“功率器件先进封装与表征技术”专题征稿启事

半导体技术2025年各期：

[01] [02] [03] [04]

半导体技术其它年：

[2024] [2023] [2022] [2021] [2020] [2019] [2018] [2017] [2016] [2015] [2014] [2013] [2012] [2011] [2010] [2009] [2008] [2007] [2006] [2005] [2004] [2003] [2002] [2001] [2000] [1999] [1998] [1997] [1996] [1995] [1994] [1993] [1992] [1991] [1990] [1989] [1988] [1987] [1986] [1985] [1984] [1983] [1982] [1981] [1980] [1979] [1978] [1977] [1976]

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