  |
|
|
|
|
 |
| 半导体杂志 |
|
主办： 信息部电子46所;天津市电子学会 |
| 周期： 季刊 |
| 出版地：天津市 |
| 语种： 中文; |
| 开本： 16开 |
|
| ISSN 1005-3077 |
| CN 12-1134/TN |
|
| 曾用刊名：天津半导体技术 |
| 创刊年：1976 |
 |
|
|
|
 |
|
|
|
|
|
| 目录 |
 |
Si_(1-x-y)Ge_xC_y材料的外延生长方法 |
|
于卓,成步文,李代宗,余金中,王启明,梁骏吾 |
|
SIMOX薄膜材料的电学性能 |
|
卢殿通,P.L.F.Hemment |
|
扩展电阻技术在硅、硅基材料测试中的应用 |
|
吴晓虹,闵靖 |
|
半导体锗中60°棱位错的电子结构 |
|
张国英,刘贵立 |
|
同期整流的高效率双向PFC电路 |
|
李忠,徐亚涛,边涛,秦世才 |
|
GaAs衬底深能级EL2与电路旁栅效应的光敏特性和迟滞现象 |
|
宁珺,丁勇,夏冠群,赵福川,毛友德,赵建龙 |
|
日本政企联合开发0.1μm以下半导体生产技术 |
|
任学民 |
|
线性斜量子阱Al_xGa_(1-x)As中的电子态 |
|
宋荣利 |
|
PLEDM存储器 |
|
|
|
InGaAs/InAlAs RTD I-V特性的量子力学隧穿模拟 |
|
何红波,周继承,胡慧芳,李义兵 |
|
德国开发出D8DISCOVER薄膜分析仪 |
|
程宪章 |
|
深亚微米MOS器件的物理、结构与工艺 |
|
刘艳红,赵宇,王美田,胡礼中,魏希文 |
|
新型NTC(金属PTC陶瓷)复合材料的导电机制 |
|
杨海,李朝友,余鸿飞,蔡武德,孔正坤 |
|
半导体超晶格研究与相关学科领域发展的关系 |
|
彭英才,傅广生 |
|
压力传感器的发展、现状与未来 |
|
张晓群,吕惠民 |
|
二路随机脉冲尾数求差法及相关的集成电路设计 |
|
王建萍,胡晓朋 |
|
快捷付款方式
订购知网充值卡
订购热线
帮助中心