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光导体探测器

光导体探测器  

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1.
本文介绍了在脉冲辐射测量领域迅速发展的一种新型探测器——ps光导体探测器,描述了它的基本原理、主要特性和应用。 ... 详情>>
核电子学与探测技术 1995年04期 光导体探测器,中子辐照,脉冲辐射测量
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2.
本文回顾了放射摄影系统的发展历史 ,讲述了直接转换DR系统的图像捕获机制 ,对HOLOGIC直接转换DR系统的Se/TFT探测器的板层结构进行了分析 ,介绍了几种不同设计方案像素线 ... 详情>>
中国医学影像技术 2004年01期 直接转换DR 平板探测器 光导体 非晶硒 TFT
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3.
<正> 前言在过去十五年到二十年内,越来越着重研究探测长波段红外辐射能量的非本征光导体。在这期间,非本征光导体已从实验室里的极少数试验品发展成为在性能要求高的红外系统中所使用的优质 ... 详情>>
激光与红外 1975年12期 光导探测器 光导体 探测率 响应率 本征硅
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4.
<正> 一、光子探测器 Hg_(1-x)Cd_xTe HgCdTe是假二元半导体,它的禁带宽度随着汞对镉的比率而改变。可以用其长波灵敏限从1到30微米的材料制造光导体。能选择截止波 ... 详情>>
激光与红外 1976年04期 光二极管 截止波长 光导体 HgCdTe 探测器阵列 红外探测器
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5.
最近10年来,红外技术中的新的探测器材料和结构以及新的和更复杂的探测器体系结构有了明显增加。本文对最近发展的最新的材料、生长技术以及探测器体系结构进行了评述。 ... 详情>>
红外 1998年08期 红外 材料 材料结构 光电探测器 光导体 光伏 晶格 多量子阱
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6.
<正> 红外探测器材料因强激光辐射而极易遭致热损伤。由于它们的峰值吸收系数通常在10~3~10~5厘米~(-1)之间,因此在很小的体积内可吸收相当大量的入射辐射。非本征光导体是例外 ... 详情>>
激光与红外 1978年11期 红外探测器 激光辐射 激光损伤 HgCdTe 探测器材料 吸收系数 光导体
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