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光电导探测器

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光电导探测器  

固体受光照而引起电导率改变的现象。虽然绝缘体和半导体都有这种效应,但光电导这一概念通常是对于半导体而言的。电导率正比于固体内的载流子浓度,凡是能引起载流子浓度增加的光照都会产生光电导。当入射光子的能量大于晶体的禁带宽度并等于一定值时,晶体价带中的束缚电子 ...

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与"光电导探测器"相关的文献前10条 更多文献>>

1.
为了研究光电导探测器对高频光信号的响应特性,分析了光电导探测器响应时间的物理机理,应用解析方法推导出了它的响应时间表达式及其适用条件,建立了光电导探测器的微变等效电路模型,测试了C ... 详情>>
红外与激光工程 2009年05期 光电导探测器 响应时间 恒流源 微变等效电路 光电检测电路
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2.
改善光电导探测器NBP<10~(-6)的新想法文婷婷(中国科学院上海光学精密机械研究所,上海201800)光电导探测器也是把输入光信号转变成电信号输出的一种光电器件。噪声等效功率N ... 详情>>
量子电子学 1994年02期 光电导探测器 中国科学院上海光学精密机械研究所 光电器件 NBP
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3.
光电导探测器是一种常用的红外探测器件。文中介绍了其基本工作原理 ;选择光电导探测器的原则和依据 ;光电导探测器的偏置电路和前置放大电路的设计等 ... 详情>>
红外技术 2001年06期 红外测量 光电导探测器 偏置电路设计 前置放大电路设计
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4.
为了用同步辐射光源完成对光电导探测器的标定工作,用门控积分方法代替基于高性能宽带示波器的高灵敏测量系统,改进了前端放大器,带宽达到了2.9 GHz,改进后的门控积分系统灵敏度达到2 ... 详情>>
强激光与粒子束 2006年03期 光电导探测器 惯性约束聚变 标定 门控积分
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5.
将门控积分方法运用到光电导探测器的灵敏度标定中,发展了一套在北京同步辐射装置(BSRF)上对光电导探测器进行定时测量的方法,给出了利用这套标定系统在BSRF软X光站上对光电导探测器 ... 详情>>
核技术 2003年02期 光电导探测器 门控积分 标定系统
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6.
本文阐述不同退火温度下获得的材料电学参数。选择合适的退火温度,可以得到性能优良的电学参数材料。同时较详细地列出了退火后的材料在低温(77K)和室温电阻率变化及光电导样品在低温(77 ... 详情>>
激光与红外 1980年05期 光电导探测器 电学参数 室温电阻率 黑体探测率 碲镉汞 电参数
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7.
研究了一种双微带结构的 GaAs光电导探测器的性能,测量了本征 GaAs探测器和经过 1.6MeV电子辐照的探测器的x脉冲响应,并对其响应时间,后沿下降时间,半高宽(FWHM)进行 ... 详情>>
半导体技术 2001年06期 GaAs 探测器 辐照改性
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8.
介绍了未改性的砷化镓光电导探测器以及经过两束不同能量的质子改性后的砷化镓探测器对X射线的响应,并对它们的输出波形与经过电子改性后的探测器的输出波形进行了比较,结果表明,经过双束质子 ... 详情>>
半导体光电 2005年04期 砷化镓 光电导探测器 质子改性
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9.
 对用能量为7.5MeV和20MeV,注量为1011~1013cm-2的质子辐照后的砷化镓材料制作的光电导探测器的光电流和暗电流进行了测试,并由此推得电导率的变化。结果表明,经过能 ... 详情>>
强激光与粒子束 2004年04期 质子 GaAs 探测器 光电流 暗电流
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10.
本文报道了利用共面微带线间的指状交叉型光电导开关,在以蓝宝石为衬底的硅片(SOS)上构造了一种新型的光电探测器.非接触电光取样测量表明,它具有超过100GHz的-3dB带宽.在10 ... 详情>>
半导体学报 1997年12期 光电导探测器 电光取样 非接触 光电探测器
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