器件性能

1.

为研究Bulk FinFET工作时基本结构参数、器件温度和栅极材料对其性能的影响，建立了一个15 nm n型Bulk FinFET器件模型，仿真分析了不同栅长、鳍宽、鳍高、沟道掺杂 ... 详情>>

强激光与粒子束 2024年03期 Bulk FinFET 短沟道效应 器件性能 参数优化 栅极材料

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2.

以TiO_2/钙钛矿(PVSK)/P3HT的n-i-p型钙钛矿电池作为研究对象,研究了TiO_2薄膜退火温度对TiO_2薄膜的结晶性、基于此的钙钛矿薄膜的形貌以及光伏器件性能的影响 ... 详情>>

太原理工大学学报 2017年06期 钙钛矿太阳能电池 n-i-p结构器件 TiO2电子传输层 P3HT空穴传输层

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3.

基于28nm Polysion工艺,研究了在轻掺杂源漏区(LDD)提升掺杂浓度与掺杂碳源对PMOS器件的影响。实验结果表明,掺杂碳原子可以有效抑制硼的瞬时增强扩散效应(TED),并 ... 详情>>

微电子学 2019年01期 28nm 碳掺杂 PLDD掺杂浓度 PMOS器件

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4.

<正> 我院受四机部中国器件总公司的委托,于今年暑假(七月二十七日至八月二十三日)由自动化系半导体材料教研室举办了一期硅材料中的杂质与缺陷对器件性能影响学习班。40名学员来自于我国 ... 详情>>

河北工学院学报 1981年02期 器件性能 半导体材料 教研室 硅材料

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5.

本文以Be(PP)2为发光层、水溶性酞菁铜(WS-CuPc)为空穴注入层、NPB为空穴传输层,制备了结构为ITO/WS-CuPc/NPB/Be(PP)2/LiF/Al的蓝色有机发光 ... 详情>>

物理学报 2011年03期 水溶性CuPc 蓝色有机电致发光 旋涂转速 退火方式

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6.

为提升蓝光OLED的发光性能,采用DPEPO和DMAC-DPS两种热活化延迟荧光(TADF)材料构成的主客体掺杂结构作为蓝光OLED器件的发光层,研究器件结构、客体掺杂浓度等因素对 ... 详情>>

湖北工业大学学报 2021年02期 热活化延迟荧光材料(TADF) 蓝光OLED器件 发光

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7.

利用Sentaurus TCAD软件模拟研究了Halo注入工艺参数(注入角度、剂量、能量)对50nm NMOS器件性能的影响。结果表明,Halo注入角度和剂量的增大会使器件的DIB ... 详情>>

固体电子学研究与进展 2012年03期 Halo 漏致感应势垒降低 结电容

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8.

本文从理论及测试等角度对软磁铁氧体材料性能、器件性能以及他们之间的联系与区别等进行了初步的分析和探讨,并就这两种性能的测试标准、测试方法及生产实际中与此二者相联系的一些现象进行了一 ... 详情>>

电气技术 2010年05期 材料性能 器件性能 软磁铁氧体 磁性测量 退磁场 标准

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9.

以poly(3-hexylthiophene)(P3HT)作为电池给体材料,[6,6]-phenyl-C60-butyric acid methyl ester(PC61BM)为电 ... 详情>>

人工晶体学报 2014年11期 有机太阳能电池 阴极修饰层 碳酸铯 退火温度

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10.

比导通电阻和击穿电压之间的权衡问题是功率LDMOS的主要研究对象。文章针对LDMOS器件性能提升的不同研究方法展开调研,并总结与概括了近年来性能提升的主要方法。 ... 详情>>

科技创新与应用 2021年09期 LDMOS 比导通电阻 击穿电压

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