库仑阻塞振荡

1.

提出了一种结构简单的神经元分段线性输出函数SETMOS实现方式。理论分析了恒流源偏置下单电子晶体管(SET)器件的特性和神经元分段线性输出函数。利用SET和金属氧化物场效应晶体管( ... 详情>>

微纳电子技术 2008年05期 单电子晶体管 库仑阻塞振荡 双栅极 神经元 分段线性输出函数

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2.

库仑阻塞效应是近年来固体物理中的研究热点之一．扼要介绍了金属隧道结及半导体量子点中的库仑阻塞现象的基本特性，库仑阻塞与电子态尺寸量子化之间的相互影响，量子点旋转门器件（ＱＤＴＳ）的 ... 详情>>

物理 1992年11期 量子点接触 半导体量子点 电导峰 量子化 库仑阻塞效应 半导体纳米结构 库仑阻塞振荡 隧穿结

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3.

介绍了低维量子系统电子输运中的普适电导涨落、库仑阻塞、近藤效应和有待解决的问题,以期对想进入该领域的相关人员提供参考。 ... 详情>>

贵州教育学院学报 2007年04期 普适电导涨落 库仑阻塞 近藤效应 量子点

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4.

介绍了单电子存储器的发展情况和几种单电子存储器的基本特性,并将库仑阻塞效应作为存储器工作的理论基础进行了讨论。随着传统存储器集成度的不断提高,每个存储单元的电子数目不断减少,并逐渐 ... 详情>>

微纳电子技术 2002年08期 库仑阻塞 单电子晶体管 纳米加工

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5.

在20mK的极低温下测量了石墨烯纳米带量子点的电子输运性质,观测到清晰的库仑阻塞菱形块和对应量子点激发态的电导峰.对库仑阻塞近邻电导峰间距和峰值进行了统计分析,发现其统计分布分别满 ... 详情>>

物理学报 2009年08期 石墨烯纳米带 量子点 库仑阻塞 量子混沌

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6.

基于单电子隧穿和库仑阻塞效应,研究了硅量子线中的单电子输运特性.利用绝缘体上硅薄膜材料作为衬底构建侧栅结构的硅量子线单电子晶体管,通过背栅和侧栅对量子线的电子输运特性进行调制.实验 ... 详情>>

物理学报 2011年02期 库仑振荡 单电子效应 硅量子线

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7.

传统的共振隧穿二极管的多峰值负微分电阻器件的峰值数目受到限制 ,由单电子器件和传统的金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)器件组成的多峰值负微分电阻器件在原理上具有无穷多个 ... 详情>>

物理学报 2003年07期 库仑阻塞 库仑振荡 负微分电阻 多值存储器

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8.

基于单电子经典理论,本文通过分析得出了单岛单电子晶体管的源漏电导模型,并对其进行了详细的分析讨论.单岛单电子晶体管的源漏电导随着源漏电压的变化发生周期性的振荡衰减,并随着源漏电压的 ... 详情>>

物理学报 2011年07期 单电子晶体管 电导 库仑振荡 库仑阻塞

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9.

为了增强单电子晶体管中栅极和沟道量子点之间的耦合度,提高增益调节系数,发展了结合预制控制栅、电子束直写、各向异性腐蚀和热氧化的制备工艺.在室温下对器件的电学特性进行测量,观察到了典 ... 详情>>

半导体学报 2007年01期 单电子晶体管 库仑阻塞 库仑振荡 负微分电导

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10.

采用电子束曝光、感应耦合等离子体刻蚀和热氧化等工艺技术,通过独特的图形反转设计,即在电子束曝光时采用负的曝光图形,并以电子束曝光的光刻胶作为掩膜进行干法刻蚀,通过后续的干法热氧化等 ... 详情>>

微纳电子技术 2013年03期 单电子晶体管(SET) 绝缘体上硅(SOI) 库仑阻塞 电子束曝光

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