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- 本文测量了在77K和正向脉冲电流密度为50～500mA/mm~2的激发下,ZnSe MIS二极管的电致发光光谱。首次在高电流密度激发下的ZnSe晶体的电致发光光谱上,观测到自由激子 ... 详情>>
- 发光学报 1988年01期 激子发光 有效温度 电致发光光谱 电流密度 二极管 高密度脉冲电流 MIS ZnSe MIS
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- ZnO的激子特性对制备氧化锌基的光电子器件至关重要,因此对ZnO量子点中激子的发光性质及其跃迁过程进行研究显得十分必要。采用溶胶-凝胶法制备了ZnO纳米晶,X射线衍射(XRD)结果 ... 详情>>
- 光谱学与光谱分析 2010年09期 ZnO纳米晶 自由激子 受激发射 瞬态光谱
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- 用光电导测定厚度为４～３０μｍ的未掺杂ＧａＡｓＭＯＣＶＤ外延层中自由激子跃过特性．发现当外延层厚度增加时，结合能Ｒｘ增大，ｎ＝１自由激子峰位略向低能区漂移，而激子的高激子态强度和寿 ... 详情>>
- 红外与毫米波学报 1995年04期 GaAs外延层，自由激子，光电导，光致发光
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- 在不同晶格温度和不同激发光强度下，测量了四元系ＧａＩｎＡｓＳｂ／ＧａＡｌＡｓＳｂ单量子阱中自由激子的荧光光谱，导出了稳态光谱测量条件下自由激子荧光强度与激发光强度和晶格温度的一般性 ... 详情>>
- 物理学报 1998年01期 单量子阱 光强度 本底浓度 半导体量子阱 量子阱材料 稳态荧光
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- 在高纯ZnS_xSe_(1-x)单晶的自由激子激发光谱中首次观察到过热激子能量弛豫的振荡结构。激发光谱的结构,激子的寿命与ZnS_xSe_(1-x)三元系的组分x密切有关。x=0. ... 详情>>
- 发光与显示 1985年03期 激子光谱 激发光谱 ZnS_xSe
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- 利用直流射频磁控溅射制备了氧化锌薄膜 ,测量了不同温度下的氧化锌薄膜的光致发光 .氧化锌薄膜的室温紫外发射谱是由两个发射峰构成 ,峰的中心位置分别是在 3.31和 3.2 2eV ... 详情>>
- 哈尔滨师范大学自然科学学报 2004年05期 低能带尾发射 自由激子 光致发光 声子伴线 氧化锌薄膜
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- 研究了最低温度为20～30K时,在正向电压激发下ZnSe MIS二极管的激子发光光谱,在这一温度下,二极管有可能通过足以产生发光的电流。对于利用通常气相技术生长的高纯晶体所制备的二 ... 详情>>
- 发光与显示 1981年03期 激子发光 二极管 正向电压 声子伴线 MIS ZnSe MIS
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- 文章综述了纳米结构的氧化锌半导体薄膜在室温下自由激子的自发辐射以及由自由激子引起的受激发射的特性 ,阐述了在不同激发密度下室温紫外受激发射的机理 .纳米结构氧化锌半导体薄膜是用激光 ... 详情>>
- 物理 2005年01期 纳米结构 氧化锌 紫外激光发射 自由激子 量子尺寸效应
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