半导体技术-2016年12期-知网空间

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半导体技术

Semiconductor Technology

主办：中国电子科技集团公司第十三研究所

周期：月刊

出版地：河北省石家庄市

语种：中文;

开本：大16开

ISSN 1003-353X

CN 13-1109/TN

邮发代号 18-65

创刊年：1976

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	半导体技术 2016年12期

目录
	非配比InP材料研究进展		杨瑞霞;韩应宽;孙聂枫;王书杰;王阳;李晓岚;孙同年;
	基于环境微弱能量收集的低阈值CMOS电路设计		潘祎雯;白雪;赵文祥;徐雷钧;
	基于低压CMOS工艺的新型负电压型电荷泵电路		罗志聪;黄世震;叶大鹏;
	基于倒装应用的单刀双掷开关MMIC设计		高显;何庆国;白银超;王凯;
	温度对压接型IGBT器件内部接触热阻的影响		邓二平;赵志斌;张朋;黄永章;李金元;
	发射区底切对倒置结构InP/GaAsSb/InP DHBT性能的影响		顾磊;熊德平;周守利;彭银生;
	用于四结太阳电池的多对TiO_2/SiO_2减反膜系的研究		姜德鹏;张杨;彭娜;郑贵忠;毛明明;张小宾;杨翠柏;
	管式炉扩散法制备20%效率的n型双面电池		吕晓华;严金梅;李吉;张进臣;赵朋松;
	Cu CMP工艺对薄膜介电常数的影响机制		杨俊;刘洪涛;谷勋;
	沟槽肖特基器件Si深槽刻蚀工艺		李志栓;汤光洪;於广军;杨新刚;杨富宝;
	富铟熔体生长InP单晶的晶体缺陷及物理特性		韩应宽;杨瑞霞;孙聂枫;王书杰;王阳;李晓岚;孙同年;
	河北美泰电子科技有限公司申报国家重点研发计划获准立项
	纳米尺寸芯片的透射电镜样品制备方法		段淑卿;虞勤琴;陈柳;赵燕丽;李明;张启华;简维廷;
	FPGA准实时寿命损耗评价系统的验证试验设计		刘涵雪;谢劲松;吕镇邦;喻宏;
	石墨烯晶体管工艺新方法获美国专利授权		蔚翠;
	LED灯具照亮人民大会堂宴会厅		聂丛伟;
	《半导体技术》稿约
	2016年《半导体技术》41卷总目次

半导体技术2016年各期：

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