光电导开关
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应用电磁学原理,研究了光电导开关输出电流中的位移电流和传导电流,认为位移电流可以由内建电场变化和负载分压过程引起。内建电场变化引起的位移电流在大间隙光电导开关中可以忽略;负载分压引
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西安理工大学学报
2009年02期
光电导开关
位移电流
全电流模型
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实验研究了光电导开关的非线性现象,结果表明用半导体激光脉冲串触发光电导开关,在保持激光触发GaAs光电导开关实验条件不变的情况下,产生非线性的电阈值会不断降低。测量和比较试验前后光
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电子科技
2009年03期
光电导开关
激光触发
非线性模式
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光控光电导开关因其具有传统高功率脉冲器件所不具有的优良特性 ,在产生高功率微波脉冲领域具有很大的发展潜力。利用光控光电导开关可以直接从直流电源产生高功率的微波脉冲。本文首先介绍了光
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微波学报
2002年03期
光电导开关
工作模式
高功率超宽带微波产生
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本文在实验的基础上,提出了光电导开关等效时变电导的新表达式。据此分析了光电导开关在高速脉冲的产生和取样以及在光电子相关测量中的特性。分析的结果与实验基本一致,为将来利用光电子相关方
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电子科学学刊
1990年05期
光电导开关
瞬态测量
相关测量
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通过对不同电极间隙的半绝缘砷化镓光电导开关产生超短电脉冲的对比实验和光电导开关导通机理的分析 ,给出了使半绝缘砷化镓光电导开关获得最大输出功率的开关电极间隙的优化设计方法以及对触发
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高电压技术
2003年05期
光电导开关
功率
优化设计
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利用流体模型对光生载流子的输运进行了模拟研究,结果表明载流子在输运过程中形成的光激发电荷畴是产生电脉冲超快上升特性的主要原因.对光激发电荷畴的形成和吸收过程的进一步研究表明:1)形
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物理学报
2009年01期
光电导开关
非线性模式
光激发电荷畴
上升时间
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报道了用半绝缘GaAs光电导开关产生电压幅值稳定、ps量级时间晃动超快电脉冲的实验结果 .分别用ns ,ps和fs激光脉冲触发GaAs光电导开关的结果表明 ,在低电场偏置下 ,电极
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物理学报
2004年06期
光电导开关
超快电脉冲
电压幅值稳定性
时间晃动
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报道了用 1 0 64nm激光脉冲触发电极间隙为 8mm的半绝缘GaAs光电导开关的实验结果 在触发光能为 1 .9mJ ,偏置电压分别为 3kV和 5kV条件下 ,光电导开关分
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光子学报
2002年09期
光电导开关
半绝缘GaAs
EL2能级
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通过对Ａｕ／Ｇｅ／Ｎｉ电极结构的最佳化设计，采用Ｓｉ３Ｎ４硅凝胶钝化／保护技术，首次研制出一种全固态的ＧａＡｓ横向高压光电导开关。器件具有理想的暗态伏安特性，绝缘强度达３５ｋＶ／ｃ
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高电压技术
1998年01期
大功率光导开关,GaAs开关,功率脉冲技术
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采用高质量半绝缘碳化硅(SiC)单晶材料制作了超快高耐压大功率SiC光电导开关。应用氟化氪准分子脉冲激光器作为激发光源,得到了脉宽为40 ns,上升沿为9.6 ns的超快响应的电脉
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强激光与粒子束
2010年03期
碳化硅
光电导开关
上升沿
导通电阻
大功率
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