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- 以吸附在金属铜基底上的外延石墨烯为例,研究了空穴浓度随温度的变化,探讨了空穴浓度和基底以及温度对金属基外延石墨烯态密度的影响.结果表明:(1)空穴浓度随温度升高而非线性增大,铜基底 ... 详情>>
- 四川大学学报(自然科学版) 2017年05期 铜基外延石墨烯 态密度 空穴浓度 温度
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- 采用数值模拟的方法,研究了p层空穴浓度和厚度对不同铟组分InGaNp-i-n同质结太阳电池性能的影响规律及其内在机理.模拟计算的结果显示:随着p层空穴浓度和厚度的增加,太阳电池的转 ... 详情>>
- 物理学报 2019年19期 数值模拟 InGaN 同质结 太阳电池
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- 稀磁GaMnAs外延膜中的Mn含量会影响外延膜的空穴浓度和应变弛豫.Raman散射研究表明,Mn含量为3%的超薄GaMnAs样品的空穴浓度大于2%样品,4%样品的空穴浓度小于3%样 ... 详情>>
- 物理学报 2011年02期 空穴浓度 应变弛豫 倒易空间图 准共格
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- <正> 采用离子注入法做光伏器件,需要空穴浓度在2～6×10~(16)cm~(-3)甚至更低的P型Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te材料,所以要求准确测定弱P型材料的空穴浓度。由 ... 详情>>
- 红外研究(A辑) 1986年05期 空穴浓度 霍尔曲线 Hg_0.8Cd_0.2Te
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- 本文通过固相反应法制备了(Y1-xCax)Ba2Cu3O7-δ(x=0,0.06,0.12)多晶样品并在流动氧气下退火,研究了Ca掺杂对超导体CuO2面空穴浓度的影响.热重分析结果 ... 详情>>
- 低温物理学报 2015年03期 YBCO 空穴浓度 钙掺杂
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- 高Al组份Al Ga N薄膜中的Mg受主活化能较大、空穴浓度较低，制约了Al Ga N基深紫外发光二极管（Light-emitting diode,LED）的辐射复合效率。为了提高 ... 详情>>
- 固体电子学研究与进展 2024年06期 BGaN/AlGaN 超晶格 应变补偿 多量子阱 空穴浓度 发光二极管
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- 本文研究Co对Cu(I)和Ca对Y作取代时,YBa_2Cu_3O,系统中的空穴浓度、晶体结构和超导临界温度随掺杂量的变化关系及其起源。结果表明,上述取代对体系中的Cu-O平面上的空 ... 详情>>
- 物理学报 1991年08期 空穴浓度 可移动 局域化 YBa_2Cu_3O_y
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- 利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上生长了InGaN:Mg薄膜,对不同源流量In-GaN:Mg材料特性进行了研究。光学和电学特性观测表明,当外延生长温度在76 ... 详情>>
- 光电子.激光 2011年05期 Mg掺杂InGaN 金属有机物化学气相淀积(MOCVD) 原子力显微镜(AFM) 发光二极管(LED)
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