紫外光电导探测器
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回顾了近几年在 Ga N紫外光电导探测器上的研究进展 ,介绍了不同 Ga N光电导紫外光探测器的制备方法、光电参数及工作机理。
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半导体情报
2000年02期
GaN
紫外光电导探测器
光电导
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通过在MOCVD方法生长的ZnO薄膜上沉积Al/Au叉指状电极制得ZnO紫外光电导型探测器,对该探测器的欧姆接触特性、光电响应特性以及光谱响应特性进行了测试研究,并根据AES、XP
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北京工业大学学报
2007年07期
氧化锌
单晶薄膜
紫外光探测器
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在蓝宝石(0001)衬底上采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法生长了未掺杂的Al_(0.15)Ga_(0.05)N外延层,并以此为材料制作了光电导探测器,实验发现探测器具有
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现代电子技术
2004年06期
AlGaN
光电导控测器
紫外光
PPC
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用化学气相沉积法生长金刚石膜,在此膜上制作紫外光电探测器,并作了性能测试。该器件是叉指式电极结构,可以减小电极间隙,减少光激发载流子的损失,提高器件的响应灵敏度。表面处理可除去金刚
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功能材料与器件学报
2000年03期
紫外光电探测器
金刚石薄膜
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采用直流反应磁控溅射的方法,制备了TiO2薄膜。用X射线衍射,原子力显微镜(AFM)和紫外-可见光分光光度计分别测试了TiO2薄膜的晶体结构、表面形貌及其紫外-可见光吸收谱,采用C
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功能材料与器件学报
2005年02期
直流反应磁控溅射
TiO_2薄膜
光导型紫外探测器
光响应
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对ZnO基紫外光探测器的原理、结构、特点进行了论述,并对探测器制备过程中的关键技术进行了探讨。
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激光与红外
2009年05期
ZnO
紫外探测器
光电导
肖特基势垒
p-n结
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报道了用MOCVD方法制备的非掺杂的和Mg弱掺杂的n型GaN薄膜的紫外光电导特性 .结果表明这些n型样品具有显著的紫外光响应 ,而且光响应弛豫时间也较短 .在弱光范围 ,光响应随光
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物理学报
2001年09期
GaN
MOCVD
光电导
光响应
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评述了近年来在GaN紫外光探测器方面的研究进展.介绍了GaN 光电导探测器、p- n 结二极管探测器、肖特基势垒探测器以及MSM 结构探测器的制备方法、光电参数及研究现状.
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物理
2000年02期
GaN
紫外光探测器
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ZnO基紫外光探测器被认为是目前研究紫外探测器的重点之一。简要介绍了ZnO基紫外光探测器采用的基本结构:包括光电导型、肖特基势垒型以及p-n结型;比较了不同结构的ZnO紫外光探测器
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材料导报
2007年10期
ZnO基
紫外光探测器
MSM
光电导
肖特基势垒
p-n结
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相对于其他类型的探测器,GaN基紫外光探测器具有很多优点。本文主要介绍了近几年GaN 基紫外光探测器的发展,并对各种结构形式进行了比较。
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半导体技术
2005年02期
GaN
紫外探测器
光电导
光伏
MSM
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