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紫外光电导探测器

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紫外光电导探测器  

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1.
回顾了近几年在 Ga N紫外光电导探测器上的研究进展 ,介绍了不同 Ga N光电导紫外光探测器的制备方法、光电参数及工作机理。 ... 详情>>
半导体情报 2000年02期 GaN 紫外光电导探测器 光电导
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2.
通过在MOCVD方法生长的ZnO薄膜上沉积Al/Au叉指状电极制得ZnO紫外光电导型探测器,对该探测器的欧姆接触特性、光电响应特性以及光谱响应特性进行了测试研究,并根据AES、XP ... 详情>>
北京工业大学学报 2007年07期 氧化锌 单晶薄膜 紫外光探测器
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3.
在蓝宝石(0001)衬底上采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法生长了未掺杂的Al_(0.15)Ga_(0.05)N外延层,并以此为材料制作了光电导探测器,实验发现探测器具有 ... 详情>>
现代电子技术 2004年06期 AlGaN 光电导控测器 紫外光 PPC
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4.
用化学气相沉积法生长金刚石膜,在此膜上制作紫外光电探测器,并作了性能测试。该器件是叉指式电极结构,可以减小电极间隙,减少光激发载流子的损失,提高器件的响应灵敏度。表面处理可除去金刚 ... 详情>>
功能材料与器件学报 2000年03期 紫外光电探测器 金刚石薄膜
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5.
采用直流反应磁控溅射的方法,制备了TiO2薄膜。用X射线衍射,原子力显微镜(AFM)和紫外-可见光分光光度计分别测试了TiO2薄膜的晶体结构、表面形貌及其紫外-可见光吸收谱,采用C ... 详情>>
功能材料与器件学报 2005年02期 直流反应磁控溅射 TiO_2薄膜 光导型紫外探测器 光响应
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6.
对ZnO基紫外光探测器的原理、结构、特点进行了论述,并对探测器制备过程中的关键技术进行了探讨。 ... 详情>>
激光与红外 2009年05期 ZnO 紫外探测器 光电导 肖特基势垒 p-n结
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7.
报道了用MOCVD方法制备的非掺杂的和Mg弱掺杂的n型GaN薄膜的紫外光电导特性 .结果表明这些n型样品具有显著的紫外光响应 ,而且光响应弛豫时间也较短 .在弱光范围 ,光响应随光 ... 详情>>
物理学报 2001年09期 GaN MOCVD 光电导 光响应
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8.
评述了近年来在GaN紫外光探测器方面的研究进展.介绍了GaN 光电导探测器、p- n 结二极管探测器、肖特基势垒探测器以及MSM 结构探测器的制备方法、光电参数及研究现状. ... 详情>>
物理 2000年02期 GaN 紫外光探测器
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9.
ZnO基紫外光探测器被认为是目前研究紫外探测器的重点之一。简要介绍了ZnO基紫外光探测器采用的基本结构:包括光电导型、肖特基势垒型以及p-n结型;比较了不同结构的ZnO紫外光探测器 ... 详情>>
材料导报 2007年10期 ZnO基 紫外光探测器 MSM 光电导 肖特基势垒 p-n结
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10.
相对于其他类型的探测器,GaN基紫外光探测器具有很多优点。本文主要介绍了近几年GaN 基紫外光探测器的发展,并对各种结构形式进行了比较。 ... 详情>>
半导体技术 2005年02期 GaN 紫外探测器 光电导 光伏 MSM
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