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半导体技术
Semiconductor Technology
主办: 中国电子科技集团公司第十三研究所
周期: 月刊
出版地:河北省石家庄市
语种: 中文;
开本: 大16开
ISSN 1003-353X
CN 13-1109/TN
邮发代号 18-65
创刊年:1976
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半导体技术 2018年11期

目录
用于开关DC-DC转换器的快速负载瞬态响应电路 文常保;郑怀仓;刘雨鑫;崔现锋;
提高安全度量的可配置电流环形振荡器PUF 韦民;孙子文;
复合栅介质对AlGaN/GaN MISHEMT器件性能的影响 张佩佩;张辉;张晓东;于国浩;徐宁;宋亮;董志华;张宝顺;
蓝光LED芯片波长对COB光源颜色一致性的影响 罗明浩;肖龙;俞理云;陈岩;李炳乾;
焊接式IGBT模块结构设计与性能分析 高勇;高婉迎;孟昭亮;杨媛;
寄生电感不匹配对SiC MOSFET并联电流分配的影响 黄华震;柯俊吉;孙鹏;赵志斌;
2019年主要栏目设置
阻挡层CMP过程中划伤缺陷的控制 徐奕;刘玉岭;王辰伟;马腾达;
GLSI多层铜互连阻挡层CMP中铜沟槽剩余厚度的控制 马腾达;刘玉岭;杨盛华;徐奕;考政晓;
阻挡层抛光液中助溶剂和H_2O_2对铜残留缺陷的影响 胡轶;张凯;何彦刚;刘玉岭;
温度对(Pb_(0.97)La_(0.02))(Zr_(0.95)Ti_(0.05))O_3反铁电薄膜储能行为的影响 耿文平;乔骁骏;穆继亮;丑修建;
Pt/Nb∶SrTiO_3/In结构异常的双极性电阻变换特性 王强文;郭育华;
一种集成稳压器的失效机理分析 廉鹏飞;刘楠;孔泽斌;吉裕晖;陈萝娜;
基于T861测试系统的皮安级漏电流测试方法 韩先虎;张凯虹;王建超;郭晓宇;
第四届全国新型半导体功率器件及应用技术研讨会通知
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